雷防護素子

通信機器に使用される半導体やプリント基板は小型化・高密度化が進んでおりますが、それによって機器のサージに対する耐圧はますます低下し、機器を破損させる原因となっております。
ハーメスタは、機器を故障させるとともに人体にも被害を与えかねない危険な雷サージから未然に防護する素子として、多くの通信用端末機器にご使用いただいております。

雷防護素子

特徴

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サージ反復寿命が長く、長期間メンテナンスフリーでご使用いただけます。
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高絶縁抵抗、低静電容量のため、回線への影響が少なく、高周波領域でのご使用に適しています。
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セラミクス封止タイプのため、機械的および電気的信頼性に優れています。
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放射性物質は一切使用していませんので、取扱い上安全です。

仕様

品　名 放電開始電圧 衝撃波放
電開始電圧		 衝撃波耐量 絶縁抵抗 静電容量
2Ｎタイプ 230〜400Ｖｄｃ 500Ｖ 10/1000μs・500A
200times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
3Ｎタイプ 230〜350Ｖｄｃ 350〜
450Ｖ		 10/1000μs・500A
100times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
2Ｍタイプ 100〜350Ｖｄｃ 350〜
500Ｖ		 10/1000μs・500A
200times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
3Ｍタイプ 100〜350Ｖｄｃ 350〜
450Ｖ		 10/1000μs・500A
200times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
3ＰＤ 200Ｖａｃ 500Ｖ 10/200μs・200A
50times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
3ＰＣ 300Ｖａｃ 650Ｖ 10/200μs・200A
200times		 ＞1×104ＭΩ ＜2ｐF
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詳細は、弊社営業担当までお問合せのほどお願いいたします。